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        1. [1]師光輝,李夢春,等.175℃功率MOSFET場效應管在核磁共振功放電路中的應用[J].測井技術,2018,42(04):480-483.[doi:10.16489/j.issn.1004-1338.2018.04.021]
           SHI Guanghui,LI Mengchun,HOU Xueli,et al.Application and Energy Consumption Analysis of 175 ℃ Power MOSFET in NMR Amplifier Circuit[J].WELL LOGGING TECHNOLOGY,2018,42(04):480-483.[doi:10.16489/j.issn.1004-1338.2018.04.021]
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          175℃功率MOSFET場效應管在核磁共振功放電路中的應用()
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          《測井技術》[ISSN:1004-1338/CN:61-1223/TE]

          卷:
          第42卷
          期數:
          2018年04期
          頁碼:
          480-483
          欄目:
          測井儀器
          出版日期:
          2018-09-05

          文章信息/Info

          Title:
          Application and Energy Consumption Analysis of 175 ℃ Power MOSFET in NMR Amplifier Circuit
          文章編號:
          1004-1338(2018)04-0480-04
          作者:
          師光輝12 李夢春12 侯學理12 郭瑛1 黎晗1 葛斌1 蔡長波12
          1.中國石油集團測井有限公司, 陜西 西安 710077; 2.中國石油天然氣集團公司測井實驗基地, 陜西 西安 710077
          Author(s):
          SHI Guanghui12 LI Mengchun12 HOU Xueli12 GUO Ying1 LI Han1 GE Bin1 CAI Changbo12
          1. China Petroleum Logging CO. LTD., Xi'an, Shaanxi 710077, China; 2. China National Petroleum Corporation Logging Experimental Base, Xi'an, Shaanxi 710077, China
          關鍵詞:
          核磁共振測井儀器 全橋功放 耗散功率 結溫 175 ℃失效率
          Keywords:
          Keywords: nuclear magnetic resonance logging tool full-bridge power amplifier power dissipation junction temperature 175 ℃ failure rate
          分類號:
          P631.83
          DOI:
          10.16489/j.issn.1004-1338.2018.04.021
          文獻標志碼:
          A
          摘要:
          發射效率和溫度性能是核磁共振功放電路的重要指標,核磁共振發射器電路結構為D類全橋功率放大電路,引起D類功放效率下降的主要因素表現為場效應管的耗散功率。耗散功率既降低了發射效率,又會引起電路系統溫度的上升。理論計算出175 ℃環境下,在一定條件的發射功率下,通過良好散熱,功率MOSFET場效應管需要承受的最大結溫約為200 ℃。芯片專用檢測平臺可以檢測出功率場效應管的漏源擊穿電壓、漏極電流、柵源閾值電壓、導通電阻等各參數隨溫度變化趨勢。從大量芯片高溫檢測結果來看,功率MOSFET場效應管APT14M100B在200 ℃時的失效率約8%,經過篩選后的芯片用在電子線路上再次進行高溫測試,測試結果表明,該場效應管能滿足核磁共振發射器在井下175 ℃環境下有效穩定地工作。
          Abstract:
          Abstract: The emission efficiency and temperature rate are important indicators of the NMR power amplifier circuit. The NMR transmitter circuit structure is a class D full-bridge power amplifier circuit, whose efficiency degradation is mainly attribute to power dissipation of the field effect transistor. The power dissipation not only reduces the transmission efficiency but also causes the temperature rise of the circuit system. By theoretical calculation, under the temperature of 175 ℃, given emission power and good heat dissipation, the maximum junction temperature of the power MOSFET field effect transistor is about 200 ℃. The chip-specific detection platform can detect the field effect transistor's temperature related trend of the drain-source breakdown voltage, the drain current, the gate-source threshold voltage and the on-resistance. From the high-temperature test results of a large number of chips, the power MOSFET field effect transistor APT14M100B has a failure rate of about 8% at 200 ℃. The selected chip is then applied on the electronic circuit for further high temperature test. The test results show that the field effect transistor can meet the requirement of NMR transmitter's effective and stable operation in the downhole 175 ℃ environment.

          參考文獻/References:

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          備注/Memo

          備注/Memo:
          基金項目: 中國石油天然氣集團公司科學研究與技術開發項目偏心型核磁共振測井儀器研制(2016B-3703); 中國石油天然氣集團公司重大工程技術現場試驗項目175 ℃/140 MPa成像測井裝備現場試驗(2017F-16) 第一作者: 師光輝,男,1987年生,碩士研究生,工程師,從事核磁共振測井儀電路設計與研發。E-mail:[email protected]
          更新日期/Last Update: 2018-09-05
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